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硅集成电路芯片工厂设计规范 GB50809-2012

前言: 中华人民共和国国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范Code for design of silicon integrated circuits wafer fabGB 50809-2012主编部门：中华人民共和国工业和信息化部批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部施行日期：2012年12月1日中华人民共和国住房和城乡; 2024-12-6 16:35

1 总则: 1.0.1 为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规，满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全，做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好，制定本规范。 1.0.2 本规范适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。 1.0.3 硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产工艺要求，同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。 1.0.4 硅集成电; 2024-12-6 16:35

2 术语: 2.0.1 硅片 wafer 从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶锭经滚圆、切片及抛光等工序加工后所形成的硅单晶薄片。 2.0.2 线宽 critical dimension 为所加工的集成电路电路图形中最小线条宽度，也称为特征尺寸。 2.0.3 洁净室 clean room 空气悬浮粒子浓度受控的房间。 2.0.4 空气分子污染 airborne m; 2024-12-6 16:35

3 工艺设计: 3.1 一般规定 32. 技术选择 3.3 工艺布局; 2024-12-6 16:35

3.1 一般规定: 3.1.1 硅集成电路芯片工厂的工艺设计应符合下列要求： 1 满足产品生产的成品率的要求； 2 满足工厂产能的要求； 3 具有工厂今后扩展的灵活性； 4 满足节能、环保、职业卫生与安全方面的要求。 3.1.2 硅集成电路芯片工厂设计时应合理设置各种生产条件，在满足硅集成电路生产要求的前提下，宜投资少、运行费用低、生产效率高。条文说明3.1.1、3.1.2 硅集成电路; 2024-12-6 16:35

3.2 技术选择: 3.2.1 生产的工艺技术和配套的设备应按硅集成电路芯片工厂的产品类型、月最大产能、生产制造周期、投资金额、长期发展进程等因素确定。 3.2.2 对于线宽在0.35μm及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用4英寸～6英寸芯片生产设备进行加工。 3.2.3 对于线宽在0.13μm及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用8英寸芯片生产设备进行加工。 3.2.4 对于线宽在20nm～9; 2024-12-6 16:35

3.3 工艺布局: 3.3.1 工艺布置应满足产品类型、规划和产能目标的要求。 3.3.2 工艺布局应根据生产工序分为包含光刻、刻蚀、清洗、氧化/扩散、溅射、化学气相淀积、离子注入等工序在内的核心生产区，以及包括更衣、物料净化、测试等工序在内的生产支持区。 3.3.3 核心生产区的布局应围绕光刻工序为中心进行布置（图3.3.3），工艺布局应缩短硅片传送距离，并应避免硅片发生工序间交叉污染。图3.3.3 硅; 2024-12-6 16:35

4 总部设计: 4.1 厂址选择 4.2 总体规划及布局; 2024-12-6 16:35

4.1 厂址选择: 4.1.1 厂址选择应符合国家及地方的总体规划、技术经济指标、环境保护等要求，并应符合企业自身发展的需要，基础设施优良。 4.1.2 厂址所在区域应大气含尘量低，并应无洪水、潮水、内涝、飓风、雷暴威胁。 4.1.3 厂址场地应相对平整，距外界强振动源及强电磁干扰源较远。条文说明4.1.1～4.1.3 厂址应选择在大气含尘量低，远离化工厂、制药厂、垃圾焚烧厂的地区，同时要满足环保要求，避免工厂的危险; 2024-12-6 16:35

4.2 总体规划及布局: 4.2.1 工厂厂区应包括办公、生产、动力、仓储等功能区域，并应以生产区为核心进行布置。 4.2.2 厂区宜结合工厂发展情况预留发展用地。 4.2.3 厂区的人流、物流出入口应分开设置。 4.2.4 工厂的动力设施宜集中布置并靠近工厂的负荷中心。 4.2.5 厂区内车辆停放场地应满足当地规划要求。 4.2.6 动力设施主要噪声源宜集中布置，并应确保场区边界的噪声强度分别符合现行国家标准《工业企业噪; 2024-12-6 16:35

5 建筑与结构: 5.1 建筑 5.2 结构 5.3 防火疏散; 2024-12-6 16:35

5.1 建筑: 5.1.1 硅集成电路芯片工厂的建筑平面和空间布局应适应工厂发展及技术升级。 5.1.2 硅集成电路芯片工厂应包括芯片生产厂房、动力厂房、办公楼和仓库等建筑。生产厂房、办公楼、动力厂房之间的人流宜采用连廊进行联系。 5.1.3 生产厂房的外墙应采用满足硅集成电路芯片生产对环境的气密、保温、隔热、防火、防潮、防尘、耐久、易清洗等要求的材料。 5.1.4 生产厂房外墙应设有设备搬入的吊装口及吊装平台。; 2024-12-6 16:35

5.2 结构: 5.2.1 抗震设防区的硅集成电路芯片工厂建筑物应按现行国家标准《建筑工程抗震设防分类标准》GB 50223的规定确定抗震设防类别及抗震设防标准。 5.2.2 生产厂房的主体结构宜采用钢筋混凝土结构、钢结构或钢筋混凝土结构和钢结构的组合，并应具有防微振、防火、密闭、防水、控制温度变形和不均匀沉降性能。 5.2.3 生产厂房宜采用大柱网大空间结构形式，柱网尺寸宜为600mm的模数。 5.2.4 生产; 2024-12-6 16:35

5.3 防火疏散: 5.3.1 硅集成电路芯片厂房的火灾危险性分类应为丙类，耐火等级不应低于二级。 5.3.2 芯片生产厂房内防火分区的划分应满足工艺生产的要求，并应符合现行国家标准《电子工业洁净厂房设计规范》GB 50472的规定。 5.3.3 洁净区的上技术夹层、下技术夹层和洁净生产层，当按其构造特点和用途作为同一防火分区时，上、下技术夹层的面积可不计入防火分区的建筑面积，但应分别采取相应的消防措施。 5.3.4; 2024-12-6 16:35

6 防微振: 6.1 一般规定 6.2 结构 6.3 机械; 2024-12-6 16:35

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