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Discuz! Board › 资源 › 消防规范›硅集成电路芯片工厂设计规范 GB50809-2012

硅集成电路芯片工厂设计规范 GB50809-2012

6.1 一般规定: 6.1.1 硅集成电路芯片厂房应满足光刻及测试设备的防微振要求。 6.1.2 硅集成电路芯片厂房的选址应对场地周围的振源进行充分的调查与评估。 6.1.3 厂址选择除既有环境的振源外，尚应计及在未来可能产生的振源对拟建厂房的影响。 6.1.4 振动大的动力设备和运输工具等应远离对振动敏感的净化生产区域，动力厂房与生产厂房不宜贴近布置。 6.1.5 硅集成电路芯片厂房宜在下列阶段进行微振测试和评价：; 2024-12-6 16:35

6.2 结构: 6.2.1 生产厂房防微振除应计及场地振动外，尚应计及动力设备、洁净区机电系统、物料传输系统运行中产生的振动，以及人员走动的影响。 6.2.2 生产厂房结构宜采用在下夹层实施小柱距柱网或在下夹层设置防振墙或柱间支撑等有利于微振控制的措施。 6.2.3 生产厂房结构分析时应计及由于防微振需要所设的支撑或防振墙等抗侧力构件的影响。 6.2.4 生产厂房的地面宜采用厚板型钢筋混凝土地面。布置微振敏感设备; 2024-12-6 16:35

6.3 机械: 6.3.1 动力设备应采取动平衡好、运行平稳、低噪声的产品。 6.3.2 对于易产生振动的动力设备及管道应采取隔振、减振措施。 6.3.3 对于靠近振动敏感区的管道应控制管道内介质的流速。 6.3.4 精密设备和仪器的防微振宜采用专用防振基座，其基座平台的基本频率应避开其下支承结构的共振频率和其他振源的共振频率。条文说明6.3.1 对于动力设备尽量采用直接驱动或变频驱动的系统。在周围有振动敏感型的; 2024-12-6 16:35

7 冷热源: 7.0.1 硅集成电路芯片厂房的冷热源设置应满足当地气候、能源结构、技术经济指标及环保规定，并应符合下列要求： 1 宜采用集中设置的冷热水机组和供热、换热设备，供应应连续可靠； 2 应采用城市、区域供热和当地工厂余热； 3 可采用燃气锅炉、燃气热水机组供热或燃气溴化锂吸收式冷热水机组供冷、供热； 4 可采用燃煤锅炉、燃油锅炉供热，电动压缩式冷水机组供冷和吸收式冷热水; 2024-12-6 16:35

8 给排水及消防: 8.1 一般规定 8.2 给排水 8.3 消防 8.4 灭火器; 2024-12-6 16:35

8.1 一般规定: 8.1.1 给排水系统应满足生产、生活、消防以及环保等要求，应在水量平衡的基础上提高节约用水和循环用水的水平，并应做到技术先进、经济合理、节水节能、减少排污。 8.1.2 给排水系统应在满足使用要求的同时为施工安装、操作管理、维修检测和安全保护提供基础条件。 8.1.3 给排水管道穿过房间墙壁、楼板和顶棚时应设套管，管道和套管之间应采取密封措施。无法设置套管的部位也应采取密封措施。 8.1.4 给; 2024-12-6 16:35

8.2 给排水: 8.2.1 给水系统应按生产、生活、消防等对水质、水压、水温的不同要求分别设置。 8.2.2 生产和生活给水系统宜利用市政给水管网的水压直接供水。 8.2.3 当市政给水管网的水压、水量不足时，生产、生活给水系统应设置贮水装置和加压装置进行调节。贮水装置不得影响水质并设有水位指示。加压装置宜采用变频调速设备，并应设置备用泵，备用泵供水能力不应小于供水泵中最大一台的供水能力。 8.2.4 不同水源、; 2024-12-6 16:35

8.3 消防: 8.3.1 硅集成电路芯片工厂除应采取防火措施以外，还应结合我国当前的技术、经济条件，配置必要的灭火设施。 8.3.2 洁净区内除应设置室内消火栓系统、自动喷水灭火系统和灭火器系统外，还应根据生产工艺或设备的具体条件和要求，有针对性的设置其他消防设备。 8.3.3 消防水泵应设备用泵，消防泵房应设置备用动力源。 8.3.4 厂房室外消防给水可采用高压、临时高压或低压给水系统，并应符合现行国家标准《; 2024-12-6 16:35

8.4 灭火器: 8.4.1 在洁净区内应设置灭火器。 8.4.2 洁净区内宜选用二氧化碳等对工艺设备和洁净区环境不产生污染和腐蚀作用的灭火剂。 8.4.3 在洁净区内的通道上宜设置推车式二氧化碳灭火器。 8.4.4 其他灭火剂的选择应计及配置场所的火灾类型、灭火能力、污损程度、使用的环境温度以及与可燃物的相容性。条文说明8.4.1～8.4.3 灭火器是扑灭初期火灾的有效手段，考虑到洁净室为防止灭火器误喷而污染洁净; 2024-12-6 16:34

9 电气: 9.1 供配电 9.2 照明 9.3 接地 9.4 防静电 9.5 通信与安全保护 9.6 电磁屏蔽; 2024-12-6 16:34

9.1 供配电: 9.1.1 硅集成电路芯片工厂应根据当地电网结构以及工厂负荷容量确定合理的供电电压。 9.1.2 硅集成电路芯片工厂用电负荷等级应为一级，其供电品质应满足芯片生产工艺及设备的要求，并应符合现行国家标准《供配电系统设计规范》GB 50052、《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》GB 50058及《电子工业洁净厂房设计规范》GB 50472的规定。 9.1.3 硅集成电路芯片厂房; 2024-12-6 16:34

9.2 照明: 9.2.1 硅集成电路芯片工厂生产区域照明的照度值应根据工艺生产的要求确定。9.2.2 生产厂房技术夹层内宜设置检修照明。9.2.3 生产厂房内应设置供人员疏散用应急照明，其照度不应低于5.0lx。在安全出入口、疏散通道或疏散通道转角处应设置疏散标志。在专用消防口应设置红色应急照明指示灯。9.2.4 生产厂房洁净区宜选用吸顶明装、不易积尘、便于清洁的灯具。当采用嵌入式灯具时，其安装缝隙应采取密封措; 2024-12-6 16:34

9.3 接地: 9.3.1 生产设备的功能性接地应小于1Ω，有特殊接地要求的设备，应按设备要求的电阻值设计接地系统。 9.3.2 功能性接地、保护性接地、电磁兼容性接地、建筑防雷接地，宜采用共用接地系统，接地电阻值应按其中最小值确定。 9.3.3 生产设备的功能性接地与其他接地分开设置时，应采取防止雷电反击措施。分开设置的接地系统接地极宜与共用接地系统接地极保持20m以上的间距。; 2024-12-6 16:34

9.4 防静电: 9.4.1 硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区。 9.4.2 防静电工作区的地面和墙面、柱面应采用导静电型材料。导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对地电阻应为2.5×104Ω～1×106Ω，摩擦起电电压不应大于100V，静电半衰期不应大于0.1s。 9.4.3 防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根据生; 2024-12-6 16:34

9.5 通信与安全保护: 9.5.1 硅集成电路芯片工厂内应设通信设施，并应符合下列要求： 1 厂房内电话/数据布线应采用综合布线系统，综合布线系统的配线间或配线柜不应设置在布置工艺设备的洁净区内； 2 应设置生产、办公及动力区之间联系的语音通信系统； 3 应根据管理及工艺的需要设置数据通信局域网及与因特网连接的接入网； 4 宜设置集中式数据中心。 9.5.2 生产厂房应设置火灾自动报警系统; 2024-12-6 16:34

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