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Discuz! Board 资源 消防规范多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014
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多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014

6 电气及自动化
6.1 电气6.2 自动化
2024-12-6 14:52
6.1 电气
6.1.1 供配电系统设计应符合下列规定: 1 应根据多晶硅工厂特点、规模和发展规划设计; 2 设计方案应依据多晶硅生产规模、负荷性质、用电容量及供电条件确定; 3 应采用高效、节能、环保、安全、性能先进的电气产品。6.1.2 负荷分级及供电要求应符合下列规定: 1 多晶硅工厂的双回路供电要求应符合现行国家标准《供配电系统设计规范》GB 50052的规定。
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6.2 自动化
6.2.1 仪表和控制系统选型应符合下列规定: 1 分散型控制系统(DCS)及相关设备选型应符合国家现行标准《石油化工分散控制系统设计规范》SH/T 3092、《分散型控制系统工程设计规范》HG/T 20573及《石油化工安全仪表系统设计规范》GB 50770的有关规定; 2 分散型控制系统(DCS)、安全仪表系统(SIS)、安全栅等设备宜由分散型控制系统(DCS)供货商统一提供
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7 辅助设施
7.1 压缩空气站7.2 制氮站7.3 制氢站7.4 导热油7.5 纯水制备7.6 制冷7.7 蒸汽
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7.1 压缩空气站
7.1.1 压缩空气站设计应满足工艺和仪表用气要求,并应符合现行国家标准《工业自动化仪表气源压力范围和质量》GB 4830和《压缩空气站设计规范》GB 50029的有关规定。7.1.2 空气压缩机的吸风口应位于空气洁净处,应在厂区有害气体和固体尘埃释放源的全年最小频率风向的下风侧。7.1.3 空气压缩机的选型和台数应根据各车间用气量、自身用气量、压力要求,以及气路系统损耗确定,并应设置备用机
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7.2 制氮站
7.2.1 制氮站可与压缩空气站设置在同一建筑物内,也可靠近压缩空气站;制氮用的压缩空气与作为仪表气源的压缩空气可由同个机组产出,也可分机组独立产出。7.2.2 氮气质量应符合下列规定: 1 压力应大于或等于0.7MPa; 2 氮气纯度应大于或等于99.999%; 3 露点应小于或等于—65℃。7.2.3 制氮站供气量应包含工艺生产系统置换用气、保护用气及
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7.3 制氢站
7.3.1 制氢站设计应符合现行国家标准《氢气站设计规范》GB 50177的有关规定,并应独立设置。7.3.2 制氢工艺路线选择应根据所在地区原料储备、原料价格、能源结构、能源价格等情况,经技术经济分析比较后确定,并应选择安全可靠、环保的节能设备。7.3.3 氢气纯度应大于99.999%,露点应小于—65℃。条文说明7.3.2 目前成熟的制氢工艺有水电解制氢、天然气裂解制氢、甲
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7.4 导热油
7.4.1 导热油产品型号应根据最高使用温度、价格及使用寿命技术经济比较后确定。7.4.2 导热油加热系统设计应符合现行行业标准《导热油加热炉系统规范》SY/T 0524的有关规定,并应靠近主要的负荷中心区,管线布置应短捷。7.4.3 厂区管网宜架空敷设,管道宜利用自然弯曲补偿管道热伸长。条文说明7.4.2 多晶硅生产系统中三氯氢硅氢还原、还原尾气干法回收、氯硅烷提纯、三氯氢硅生产等工序都
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7.5 纯水制备
7.5.1 硅芯、石墨件及硅料清洗应采用纯水。7.5.2 纯水站位置应满足工艺总体布局的要求,并应就近用水设备布置。7.5.3 纯水水质指标不应低于表7.5.3的规定。表7.5.3 纯水水质指标 注:表中第11项~第34项采用电感耦合等离子体质谱(ICP/MS)检测。7.5.4 纯水储存和分配应符合下列规定: 1 纯水储存罐体和输送管道材料应满足生产工艺的水质要求,宜选择洁
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7.6 制冷
7.6.1 工艺生产用冷要求低于—30℃时,宜采用直接蒸发式制冷系统。7.6.2 工艺生产等系统所需的冷冻站宜集中设置,并应临近负荷中心布置。7.6.3 冷冻系统设计宜采用闭式循环系统。7.6.4 采用乙二醇作为载冷剂时,乙二醇水溶液储罐容积应满足系统停车时系统内部乙二醇水溶液的储存要求,受场地限制时,应设置临时储罐。条文说明7.6.1~7.6.4 制冷是指工艺生产用冷要求小
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7.7 蒸汽
7.7.1 蒸汽源选择应符合下列规定: 1 蒸汽源选择应根据生产规模、热负荷及所在地区的能源结构、政策等因素综合论证确定; 2 应利用工厂周边已有的热电厂或区域供热站等蒸汽系统,当外部汽源不能满足所需热负荷时,应自建锅炉房供汽。7.7.2 锅炉房设计应符合现行国家标准《锅炉房设计规范》GB 50041的有关规定,并应符合下列规定: 1 宜采用燃气、燃油锅炉;环境许可时,
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8 建筑结构
8.1 一般规定8.2 主要生产厂房和辅助用房8.3 防火、防爆8.4 洁净设计及装修8.5 防腐蚀8.6 结构设计
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8.1 一般规定
8.1.1 建(构)筑物的火灾危险性分类、耐火等级不应低于表8.1.1的规定。表8.1.1 建(构)筑物的火灾危险性分类、耐火等级8.1.2 多晶硅工厂建(构)筑物之间的最小间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定,露天工艺装置与建(构)筑物之间的最小间距应符合现行国家标准《石油化工企业设计防火规范》GB 50160的有关规定。8.1.3 有爆炸危险的甲、乙类火
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8.2 主要生产厂房和辅助用房
8.2.1 还原厂房及辅助设施的布置应符合下列规定: 1 还原厂房及辅助设施宜采用钢筋混凝土结构或钢结构,耐火等级不应低于二级。 2 还原炉室为甲类火险且有防爆要求时,厂房内不应设置办公室、休息室。其他辅助房及卫生间等需要布置时,必须布置在还原炉室端墙贴邻一侧。并应采用耐火极限不低于3.0h的不燃体防爆防护墙与还原炉室分隔。当防爆防护墙兼作防火墙时,耐火极限应为4.0h。
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8.3 防火、防爆
8.3.1 还原、整理厂房的防火、防爆设计应符合下列规定: 1 厂房防火分区及疏散口布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定。 2 还原炉室应采用泄爆墙及带有通风设施的泄压屋面,在外墙设置泄压面时应对室外贴邻的汇流排等易燃易爆设施设置保护性的防爆防护半高隔墙。外墙与屋面泄压面积应符合下列规定: 1)泄压面积的计算应符合现行国家标
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