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Discuz! Board › 资源 › 消防规范›多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014

多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014

前言: 中华人民共和国国家标准多晶硅工厂设计规范Code for design of polysilicon plantGB 51034-2014主编部门：中国有色金属工业协会批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部施行日期：2015年5月1日中华人民共和国住房和城乡建设部公告第530号住房城乡建设部关于发布国家标准《多晶硅工厂设计规范》的公告现批准《多晶硅工厂设计规范》为国家标准，编号为GB; 2024-12-6 14:53

1 总则: 1.0.1 为规范多晶硅工厂的工程设计，提高工程设计质量，做到技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能，制定本规范。1.0.2 本规范适用于采用三氯氢硅氢还原法的新建、扩建和改建多晶硅工厂的工程设计，也适用于硅烷歧化法多晶硅厂中三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和氯硅烷提纯的工程设计。1.0.3 多晶硅工厂设计应积极采用节能、环保、高效、先进的装备和工艺，提高资源、能源利用率，实现物料、能源综合利用和; 2024-12-6 14:53

2 术语: 2.0.1 三氯氢硅氢还原法 trichlorosilane hydrogen reduc-tion process 经过不断完善的多晶硅生产主流工艺，是将高纯三氯氢硅与高纯氢气按一定比例通入还原炉，发生还原或热分解反应，在1050℃左右的高纯硅芯基体表面上沉积生长多晶硅；同时具备回收、利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物; 2024-12-6 14:53

3 基本规定: 3.0.1 太阳能级多晶硅工厂的设计规模应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。3.0.2 多晶硅工厂应采用符合国家现行有关光伏制造行业规范条件要求的先进工艺技术、节能环保的工艺设备以及安全设施。3.0.3 多晶硅工厂设计应符合现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB 29447等有关安全、环保、节能、消防以及劳动卫生的规定。条文说明3.0.1、3.0.2 设计规模及相关规; 2024-12-6 14:53

4 厂址选择及厂区规划: 4.1 厂址选择4.2 厂区规划; 2024-12-6 14:52

4.1 厂址选择: 4.1.1 厂址选择应符合国家产业政策、用地政策、区域规划及行业专项规划的要求，并应按国家有关法律、法规及前期工作的规定进行。4.1.2 厂址选择时，应对建厂条件进行调查，应论证和评价厂址对当地经济、社会和环境的影响，并应满足防灾、安全、环保及卫生防护的要求。4.1.3 厂址选择应符合现行国家标准《工业企业总平面设计规范》GB 50187及《化工企业总图运输设计规范》GB 50489的相关规; 2024-12-6 14:52

4.2 厂区规划: 4.2.1 厂区近期规划应与企业长远发展、区域规划相一致，宜利用城市或园区已有的水、电、汽、消防、污水处理等公用设施；分期建设的工厂，近远期工程应统一规划，近期工程应集中、紧凑、合理布置，并应与远期工程合理衔接。4.2.2 厂区应根据工厂规模、生产工艺流程、运输、环保、防火、安全、卫生等要求，并结合当地自然条件规划。4.2.3 厂区规划应利用地形、地势、工程地质及水文地质条件，合理布置建(构; 2024-12-6 14:52

5 工艺设计: 5.1 一般规定5.2 三氯气硅合成和四氯化硅氢化5.3 氯硅烷提纯5.4 三氯气硅氢还原5.5 还原尾气干法回收5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理5.7 分析检测; 2024-12-6 14:52

5.1 一般规定: 5.1.1 三氯氢硅氢还原法多晶硅生产工艺流程的设计和工艺设备的选型应符合下列规定： 1 应对建设规模、产品方案、建厂条件、原料与燃料性能及价格、能源消耗、经济效益等进行技术经济比较后确定工艺流程和主要设备； 2 应选择符合国家制造标准、节能环保、先进高效、安全可靠的工艺设备； 3 应采用符合循环经济要求的新技术、新工艺、新设备； 4 物料平衡和能量平衡应根据选定; 2024-12-6 14:52

5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化: 5.2.1 多晶硅工厂应有四氯化硅(STC)氢化装置，企业可根据生产规模、当地三氯氢硅供应以及投资规模等方面综合比较后确定是否增加三氯氢硅合成装置。5.2.2 三氯氢硅合成工序的原料之一的氯化氢(HCl)可采用氯化氢合成或盐酸解析工艺制取。5.2.3 液氯汽化工序的液氯汽化器应采用热水加热，水温宜为40℃～70℃，不应使用蒸汽加热，并应设置冬、夏季不同温度的冷、热水汽化液氯。液氯汽化工序的设; 2024-12-6 14:52

5.3 氯硅烷提纯: 5.3.1 提纯流程和塔内件应根据物料原料组分、提纯难易程度以及产品要求比较分析后确定。5.3.2 氯硅烷提纯宜选用差压耦合提纯技术。5.3.3 氯硅烷提纯工序的布置应符合下列规定： 1 大直径塔宜独立、露天布置，用法兰连接的多节组合塔以及直径不大于600mm的塔宜布置于框架结构内； 2 塔的布置宜采用单排形式，并应按提纯流程顺序以塔的外壁或中心线对齐，还应设置联合平台，各塔; 2024-12-6 14:52

5.4 三氯氢硅氢还原: 5.4.1 太阳能级多晶硅还原电耗应符合国家有关光伏制造行业规范条件的要求。5.4.2 还原炉供料系统应接近或紧靠还原车间布置。5.4.3 还原炉室应根据炉型的大小设置吊装行车，并宜配备专有的拆卸硅棒工具。5.4.4 热能回收利用装置应根据生产工艺系统的特性，回收还原炉内硅棒的辐射热量。5.4.5 生产太阳能级多晶硅的还原炉室应采用不低于三级过滤的洁净新风，生产半导体级多晶硅的还原炉室洁; 2024-12-6 14:52

5.5 还原尾气干法回收: 5.5.1 还原尾气干法回收设计范围应包括气体压缩、氯硅烷深冷分离、氢气吸附，以及再生后气处理等单元。5.5.2 还原尾气除尘工序宜在前端增加过滤器或采用其他解决尾气中无定形硅的技术。5.5.3 氯硅烷分离工序宜采用高压深冷方式回收氯硅烷，并宜采用高压低温吸收、低压高温解析方式回收氯化氢。5.5.4 还原尾气干法回收工序布置宜符合下列规定： 1 宜临近还原车间布置； 2 还; 2024-12-6 14:52

5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理: 5.6.1 硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法。工艺路线选择应根据硅芯生产规模、能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定。5.6.2 采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽。5.6.3 硅芯制备的房间应设置在洁净区内。5.6.4 多晶硅后处理应包括产品运输、破碎、分拣、包装、腐蚀清洗等工序，其中运输、破碎、分拣、包装工序应符合下列规定： 1 硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓; 2024-12-6 14:52

5.7 分析检测: 5.7.1 多晶硅工厂应设置单独的分析检测室，并宜在四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、三废处理站等装置区内设置在线分析装置。5.7.2 分析检测室不应与甲、乙类房间布置在同一防火分区内，可独立设置于一侧。5.7.3 分析检测应包括下列内容： 1 氯硅烷的含量、杂质、含碳化合物分析； 2 硅粉的含量、杂质、粒度、碳含量分析； 3 液氩中氧、氮含量分析； 4 液氮中; 2024-12-6 14:52

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